MOS管選型指南

選擇合適品牌

市場中有不同品牌和類型的MOS管，選擇時需平衡品牌質(zhì)量與成本。在市場上，歐美系企業(yè)的產(chǎn)品種類齊全，技術及性能也很出色，因此常常成為優(yōu)先。日系品牌，如瑞薩和東芝，也以其品質(zhì)和競爭優(yōu)勢在市場上占據(jù)一席之地，但價格相對較高。

國內(nèi)企業(yè)價格更為親民，性價比相對較高，因此也受到不少客戶的青睞。

中國大陸的本土企業(yè)則憑借低成本優(yōu)勢和快速響應的客戶服務，在中低端及細分領域展現(xiàn)出強大的競爭力。商甲半導體實現(xiàn)了國產(chǎn)替代，并不斷向高產(chǎn)品線發(fā)起挑戰(zhàn)，以滿足本土客戶的需求。 商甲半導體提供的20V~100V Complementary（N+P型互補式）MOSFET產(chǎn)品。12V至200V P MOSFET電子元器件MOSFET技術

選擇MOS管的指南

 第一步: 明確N溝道與P溝道首先，需要明確N溝道與P溝道的選擇。N溝道適用于低壓側(cè)開關，P溝道適用于高壓側(cè)開關。由于MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式——N溝道型和P溝道型，這兩種結(jié)構(gòu)的電壓極性有所不同。因此，在做出選擇之前，務必先確定您的應用場景需要哪種類型的MOS管

MOS管的兩種結(jié)構(gòu)在電子應用中，MOS管通常有兩種結(jié)構(gòu)：N溝道型和P溝道型。這兩種結(jié)構(gòu)各有其特定的應用場景。例如，在低壓側(cè)開關中，應采用N溝道MOS管，因為這類器件在關閉或?qū)〞r所需電壓較低。相反，在高壓側(cè)開關中，則更常選用P溝道MOS管。 淮安電子元器件MOSFET高壓MOS產(chǎn)品商甲半導體的SGT系列MOSFET產(chǎn)品具備低內(nèi)阻、低電容、低熱阻的特點。

絕緣柵場效應管

1、絕緣柵場效應管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。

2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。

3、絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管為例)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。

選擇MOS管的指南

評估熱性能

選定額定電流后，還需計算導通損耗。實際中，MOS管并非理想器件，導電時會產(chǎn)生電能損耗，即導通損耗。這一損耗與器件的導通電阻RDS(ON)相關，并隨溫度明顯變化。設計者需評估MOS管的熱性能，包括差情況下的散熱能力，同時需要考慮結(jié)溫和熱阻。

功率損耗PTRON可通過公式Iload2×RDS(ON)計算（Iload表示大直流輸出電流）。由于導通電阻受溫度影響，功率損耗也會相應變化。此外，施加的電壓VGS與RDS(ON)呈反比，即電壓越高，RDS(ON)越??；反之亦然。

功率因數(shù)校正（PFC），MOSFET用于提高電源系統(tǒng)的功率因數(shù)。

如何選擇合適的MOSFET管

1.考慮開關特性：包括柵極電荷(Qg)、輸入電容(Ciss)等參數(shù)，這些參數(shù)影響MOSFET的開關速度和損耗，特別是在高速開關系統(tǒng)，必須確認MOS的導通和關斷速度。

2.使用在線工具簡化選型：一些電子元件供應商提供了在線篩選器，可以根據(jù)電壓、電流、封裝等參數(shù)快速篩選合適的MOSFET。

3.查看數(shù)據(jù)手冊：在選擇之前，仔細閱讀MOSFET的數(shù)據(jù)手冊，了解其電氣特性和工作條件。

4考慮品牌和成本：根據(jù)項目預算和對品牌的信任度，選擇信譽良好的品牌。目前，功率半導體的發(fā)展非常迅速，SIC，IGBT等隨電動汽車的發(fā)展快速發(fā)展，成本是其中非常重要的選擇要素之一，國產(chǎn)品牌的成本具有較大優(yōu)勢，可以選擇商甲半導體。 MOSFET用于直流電機的速度和方向控制，例如在電動工具、機器人和汽車電子中。上海500V至900V SJ超結(jié)MOSFET電子元器件MOSFET

商甲半導體的團隊人員在國際功率半導體企業(yè)工作多年，積累了豐富的專業(yè)經(jīng)驗和資源。12V至200V P MOSFET電子元器件MOSFET技術

場效應管分為結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。

按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；

按導電方式：耗盡型與增強型，結(jié)型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。

場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。

結(jié)型場效應管（JFET）

1、結(jié)型場效應管的分類：結(jié)型場效應管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場效應管和P溝道結(jié)型場效應管。結(jié)型場效應管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。場效應管電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?

2、結(jié)型場效應管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應管的結(jié)構(gòu)及符號，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區(qū)，當漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈小；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。 12V至200V P MOSFET電子元器件MOSFET技術