面接觸型二極管：面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大，可以通過(guò)較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用。
平面型二極管：平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開(kāi)關(guān)管使用時(shí)PN結(jié)面積小，用于大功率整流時(shí)PN結(jié)面積較大。
穩(wěn)壓管：穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管，具有穩(wěn)定電壓的作用。
光電二極管：光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口，以便于接受光照。其特點(diǎn)是，當(dāng)光線照射于它的PN結(jié)時(shí)，可以成對(duì)地產(chǎn)生自由電子和空穴，使半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而線性增加。
發(fā)光二極管：發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件，簡(jiǎn)稱LED(Light Emitting Diode)。和普通二極管相似，發(fā)光二極管也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成。 與分立二極管相比，模塊方案可減少 50% 以上的焊接點(diǎn)，降低虛焊風(fēng)險(xiǎn)。合金擴(kuò)散型二極管產(chǎn)品介紹

二極管模塊是一種集成了多個(gè)二極管芯片的功率電子器件，通常采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)高功率密度和優(yōu)異的電氣性能。其主要結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體芯片（如硅基或碳化硅基二極管）、絕緣基板（如DBC陶瓷基板）、金屬化層以及外殼封裝。二極管模塊的主要功能包括整流、續(xù)流和反向電壓阻斷，廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻器、新能源發(fā)電系統(tǒng)、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。與分立二極管相比，模塊化設(shè)計(jì)具有更高的集成度、更低的寄生參數(shù)以及更好的散熱性能，能夠滿足高功率應(yīng)用的需求。此外，現(xiàn)代二極管模塊還常與IGBT或MOSFET組合使用，形成完整的功率轉(zhuǎn)換解決方案，進(jìn)一步提升系統(tǒng)效率。 阻尼二極管報(bào)價(jià)熱阻（Rth）越低的二極管模塊，散熱性能越好，適合持續(xù)大電流工況。

英飛凌CoolSiC?系列SiC肖特基二極管模塊是第三代半導(dǎo)體的技術(shù)***，具有零反向恢復(fù)電荷（Qrr）、正溫度系數(shù)和超高結(jié)溫（175℃）等優(yōu)勢(shì)。其獨(dú)特的溝槽柵結(jié)構(gòu)使1200V模塊的比導(dǎo)通電阻低至2.5mΩ·cm2，開(kāi)關(guān)損耗較硅基模塊降低70%。在光伏逆變器應(yīng)用中，實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，采用CoolSiC?模塊的系統(tǒng)效率提升1.5個(gè)百分點(diǎn)，年發(fā)電量增加約2000kWh。此外，該模塊通過(guò)了嚴(yán)苛的1000次-55℃~175℃溫度循環(huán)測(cè)試，可靠性遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為新能源和工業(yè)高功率應(yīng)用的**產(chǎn)品。

醫(yī)療影像設(shè)備（如CT機(jī)）的X射線管需要超高穩(wěn)定度的高壓電源。齊納二極管模塊通過(guò)多級(jí)串聯(lián)，提供準(zhǔn)確的參考電壓（誤差±0.1%），確保成像質(zhì)量。模塊的真空封裝和陶瓷絕緣設(shè)計(jì)避免高壓擊穿，同時(shí)屏蔽電磁干擾。在生命支持設(shè)備（如呼吸機(jī)）中，低漏電流二極管模塊（<1nA）防止微小信號(hào)失真，保障患者安全。此外，模塊的生物相容性材料（如醫(yī)用級(jí)硅膠）通過(guò)ISO 13485認(rèn)證，滿足醫(yī)療電子的嚴(yán)格法規(guī)要求。 二極管模塊擊穿時(shí)，萬(wàn)用表測(cè)量正向電阻會(huì)明顯減小，反向電阻趨近于零。

二極管具有單向?qū)щ娦?，二極管的伏安特性曲線如圖2所示 。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極??；當(dāng)電壓超過(guò)0.6V時(shí)，電流開(kāi)始按指數(shù)規(guī)律增大，通常稱此為二極管的開(kāi)啟電壓；當(dāng)電壓達(dá)到約0.7V時(shí)，二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，通常稱此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓，用符號(hào)UD表示。
對(duì)于鍺二極管，開(kāi)啟電壓為0.2V，導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí)，電流開(kāi)始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號(hào)UBR表示。不同型號(hào)的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。 電動(dòng)汽車充電樁的整流橋模塊，由 4 個(gè)快恢復(fù)二極管組成，支持高電壓輸入整流。河北二極管現(xiàn)貨

SEMIKRON整流二極管模塊具有出色的抗浪涌能力，適用于工業(yè)變頻器和高壓直流輸電系統(tǒng)。合金擴(kuò)散型二極管產(chǎn)品介紹

賽米控SEMiX系列二極管模塊**了功率領(lǐng)域的封裝**。該平臺(tái)采用創(chuàng)新的"三明治"結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，將DCB基板、芯片和散熱底板通過(guò)納米銀燒結(jié)工藝一體化集成。以SEMiX 453GB12E4s為例，該1200V/450A模塊的寄生電感*7nH，比傳統(tǒng)模塊降低50%。獨(dú)特的壓力接觸系統(tǒng)（PCS）技術(shù)消除了焊接疲勞問(wèn)題，使模塊在ΔTj=80K的功率循環(huán)條件下壽命超過(guò)30萬(wàn)次。在電梯變頻器應(yīng)用中，實(shí)測(cè)顯示采用該模塊的系統(tǒng)效率提升至98.8%，溫升降低15K。賽米控還提供模塊化設(shè)計(jì)套件（MDK），支持客戶快速實(shí)現(xiàn)不同拓?fù)渑渲谩：辖饠U(kuò)散型二極管產(chǎn)品介紹