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中國(guó)臺(tái)灣晶閘管一般多少錢

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-15

由于在雙向可控硅的主電極上,無(wú)論加以正向電壓或是反向電壓,也不管觸發(fā)信號(hào)是正向還是反向,它都能被觸發(fā)導(dǎo)通,因此它有以下四種觸發(fā)方式:(1)當(dāng)主電極T2對(duì)Tl所加的電壓為正向電壓,控制極G對(duì)***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號(hào)。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知,這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按***象限的特性進(jìn)行的,又因?yàn)橛|發(fā)信號(hào)是正向的,所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓,而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào),這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12,輸入正向觸發(fā)信號(hào),雙向可控硅導(dǎo)通后,通態(tài)電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。 (4)兩個(gè)主電極仍然加反向電壓U12,輸入的是反向觸發(fā)信號(hào),雙向可控硅導(dǎo)通后,通態(tài)電流仍從T1流向T2。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式,但由于負(fù)信號(hào)觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小。工作比較可靠,因此在實(shí)際使用時(shí),負(fù)觸發(fā)方式應(yīng)用較多。光控晶閘管(LASCR)通過光信號(hào)觸發(fā),適用于高壓隔離場(chǎng)景。中國(guó)臺(tái)灣晶閘管一般多少錢

晶閘管

晶閘管與IGBT的技術(shù)對(duì)比與應(yīng)用場(chǎng)景分析

晶閘管和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是電力電子領(lǐng)域的兩大重要器件,各自具有獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)和適用場(chǎng)景。
結(jié)構(gòu)與原理方面,晶閘管是四層PNPN結(jié)構(gòu)的半控型器件,依靠門極觸發(fā)導(dǎo)通,但關(guān)斷需依賴外部電路條件;IGBT是電壓控制型全控器件,結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降特性,可通過柵極電壓快速控制導(dǎo)通和關(guān)斷。
性能對(duì)比顯示,晶閘管的優(yōu)勢(shì)在于高耐壓(可達(dá)10kV以上)、大電流容量(可達(dá)數(shù)千安培)和低導(dǎo)通損耗(約1-2V),適合高壓大容量、低開關(guān)頻率(通常低于1kHz)的應(yīng)用,如高壓直流輸電、工業(yè)加熱和電機(jī)軟啟動(dòng)。IGBT則在中低壓(通常<6.5kV)、高頻(1-100kHz)場(chǎng)景中表現(xiàn)出色,其開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小,廣泛應(yīng)用于變頻器、新能源發(fā)電和電動(dòng)汽車。 天津晶閘管多少錢智能晶閘管模塊內(nèi)置保護(hù)電路,可防止過壓、過流對(duì)器件造成損壞。

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晶閘管特性

晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極,陰極K接電源的負(fù)極,控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極(這里使用的是KP1型晶閘管,若采用KP5型,應(yīng)接在3V直流電源的正極)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,也就是說,給晶閘管陽(yáng)極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開關(guān)S,小燈泡不亮,說明晶閘管沒有導(dǎo)通;再按一下按鈕開關(guān)SB,給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓,小燈泡亮了,說明晶閘管導(dǎo)通了。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢?

這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,要使晶閘管導(dǎo)通,一是在它的陽(yáng)極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后,松開按鈕開關(guān),去掉觸發(fā)電壓,仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。
單向晶閘管在可控整流中的應(yīng)用

可控整流是單向晶閘管的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。在單相半波可控整流電路中,晶閘管在交流輸入電壓的正半周內(nèi),根據(jù)觸發(fā)角的大小導(dǎo)通,將交流電轉(zhuǎn)換為脈動(dòng)直流電。通過改變觸發(fā)角的大小,可以調(diào)節(jié)輸出直流電壓的平均值。在單相橋式全控整流電路中,四個(gè)晶閘管組成橋式結(jié)構(gòu),能夠在交流輸入電壓的正負(fù)半周都進(jìn)行整流,輸出電壓的脈動(dòng)程度比半波整流電路小,平均電壓更高。在三相可控整流電路中,晶閘管將三相交流電轉(zhuǎn)換為直流電,具有輸出電壓高、脈動(dòng)小等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于大功率直流電機(jī)調(diào)速、電解、電鍍等領(lǐng)域。例如,在直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)中,通過調(diào)節(jié)晶閘管的觸發(fā)角,可以改變電機(jī)的輸入電壓,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)轉(zhuǎn)速的平滑調(diào)節(jié),提高了系統(tǒng)的效率和控制精度。 晶閘管的雪崩擊穿電壓是其重要安全參數(shù)。

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單向晶閘管的保護(hù)電路設(shè)計(jì)

為了確保單向晶閘管在工作過程中的安全性和可靠性,必須設(shè)計(jì)完善的保護(hù)電路。過電壓保護(hù)電路能夠防止晶閘管因承受過高的電壓而損壞。常見的過電壓保護(hù)措施有阻容吸收電路和壓敏電阻保護(hù)。阻容吸收電路利用電容和電阻的組合,在過電壓出現(xiàn)時(shí)吸收能量,限制電壓的上升率。壓敏電阻則在電壓超過其擊穿電壓時(shí),呈現(xiàn)低電阻狀態(tài),將過電壓能量釋放掉。過電流保護(hù)電路用于防止晶閘管因過大的電流而燒毀。常用的過電流保護(hù)方法有快速熔斷器保護(hù)、過電流繼電器保護(hù)和電子保護(hù)電路??焖偃蹟嗥髂軌蛟陔娐烦霈F(xiàn)短路等故障時(shí)迅速熔斷,切斷電路,保護(hù)晶閘管。在設(shè)計(jì)保護(hù)電路時(shí),需要根據(jù)晶閘管的額定參數(shù)和實(shí)際工作環(huán)境,合理選擇保護(hù)元件的參數(shù),以確保保護(hù)電路的有效性。 晶閘管在光伏逆變器中用于DC-AC轉(zhuǎn)換。上海晶閘管公司有哪些

晶閘管的關(guān)斷時(shí)間影響其工作頻率上限。中國(guó)臺(tái)灣晶閘管一般多少錢

普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形(c)及(d),只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來得晚,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,稱為電角度。這樣,在U2的每個(gè)正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。 中國(guó)臺(tái)灣晶閘管一般多少錢