面接觸型二極管：面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用。
平面型二極管：平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開關(guān)管使用時PN結(jié)面積小，用于大功率整流時PN結(jié)面積較大。
穩(wěn)壓管：穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管，具有穩(wěn)定電壓的作用。
光電二極管：光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，以便于接受光照。其特點是，當(dāng)光線照射于它的PN結(jié)時，可以成對地產(chǎn)生自由電子和空穴，使半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增加。
發(fā)光二極管：發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件，簡稱LED(Light Emitting Diode)。和普通二極管相似，發(fā)光二極管也是由一個PN結(jié)構(gòu)成。 二極管模塊將多個二極管芯片集成于同一封裝，通過引腳實現(xiàn)電路連接，提升安裝效率。英飛凌二極管銷售

在逆變器電路中，二極管模塊作為續(xù)流二極管（Freewheeling Diode），保護功率開關(guān)管（如IGBT或MOSFET）免受反向電動勢損壞。當(dāng)感性負載（如電機繞組）突然斷電時，會產(chǎn)生高壓瞬態(tài)電流，續(xù)流模塊提供低阻抗通路，使能量通過二極管回饋至電源或耗散在電阻上。例如，變頻器和伺服驅(qū)動器中常采用集成續(xù)流二極管的IPM（智能功率模塊），其耐壓可達1200V以上，響應(yīng)時間納秒級。模塊化設(shè)計還優(yōu)化了寄生電感，抑制電壓尖峰，顯著提高系統(tǒng)可靠性，適用于工業(yè)自動化及軌道交通等干擾環(huán)境。 湖南PIN型二極管Infineon二極管模塊通過AEC-Q101認證，抗沖擊性強，適用于汽車電子等高可靠性場景。

英飛凌的HybridPACK? Drive系列SiC二極管模塊專為電動汽車設(shè)計，滿足AEC-Q101和ISO 26262 ASIL-D功能安全標(biāo)準。該模塊采用碳化硅技術(shù)，開關(guān)頻率高達300kHz，雜散電感*7nH，使800V高壓平臺逆變器的效率突破99%。其創(chuàng)新設(shè)計包括銅基板直接水冷（熱阻0.1K/W）和增強型柵極驅(qū)動集成，保護響應(yīng)時間縮短至100ns。在奔馳EQS等**電動車型中，該模塊可提升8%的續(xù)航里程，并將快充時間（10%-80% SOC）縮短至20分鐘。英飛凌還提供預(yù)測性健康監(jiān)測算法，可提前500小時識別潛在故障，大幅提升系統(tǒng)可靠性。光伏逆變器中，IGBT 與二極管模塊并聯(lián)，構(gòu)成功率開關(guān)單元實現(xiàn)能量雙向流動。

穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管，具有穩(wěn)定電壓的作用。穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于，穩(wěn)壓管是工作在PN結(jié)的反向擊穿狀態(tài)。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小，能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會因過熱而損壞。穩(wěn)壓管與一般二極管不一樣，它的反向擊穿是可逆的，只要不超過穩(wěn)壓管電流的允許值，PN結(jié)就不會過熱損壞，當(dāng)外加反向電壓去除后，穩(wěn)壓管恢復(fù)原性能，所以穩(wěn)壓管具有良好的重復(fù)擊穿特性。SEMIKRON整流二極管模塊具有出色的抗浪涌能力，適用于工業(yè)變頻器和高壓直流輸電系統(tǒng)。河南二極管哪家強

反向恢復(fù)電荷（Qrr）影響二極管模塊的開關(guān)損耗，高頻應(yīng)用需優(yōu)先選擇 Qrr 低的型號。英飛凌二極管銷售

P型和N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價元素雜質(zhì)，如硼等。
因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當(dāng)相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。
N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。
因此，在本征半導(dǎo)體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞 英飛凌二極管銷售