片式多層陶瓷電容器(MLCC)是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)過(guò)一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個(gè)類(lèi)似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨(dú)石電容器。MLCC是電子整機(jī)中主要使用的貼片元件之一，它誕生于上世紀(jì)60年代，首先由美國(guó)企業(yè)研制成功，后來(lái)在日本的Murata、TDK、太陽(yáng)誘電等公司得到迅速發(fā)展并產(chǎn)業(yè)化，MLCC是世界上用量較大、發(fā)展較快的片式元件品種。MLCC具有容量大、低等效電阻、優(yōu)異噪音吸收、較好的耐脈沖電流性能、外型尺寸小、高絕緣電阻、較好的阻抗溫度特性與頻率特性；并且具有良好的自密封特性，可以有效地避免內(nèi)電極受潮和污染，很大程度提高飛弧電壓和擊穿電壓。MLCC作為基礎(chǔ)電子元器件，通用于信息、移動(dòng)通訊、電子電器、航空、石油勘探等行業(yè)。MLCC的制造MLCC的制造是以鈦酸鋇基陶瓷等作介質(zhì)，將預(yù)制好的陶瓷漿料通過(guò)流延的方法制成厚度小于10μm的陶瓷介質(zhì)薄膜，然后在介質(zhì)薄膜上印刷上內(nèi)電極，并將印有內(nèi)電極的陶瓷介質(zhì)膜片交替疊合熱壓，形成多個(gè)電容器并聯(lián)，在高溫下一次燒結(jié)成為一個(gè)不分割的整體芯片，然后在芯片的端部涂敷外電極漿料，使之與內(nèi)電極形成良好的電氣連接，再經(jīng)復(fù)溫還原。通常在電源網(wǎng)絡(luò)上并聯(lián)大量的MLCC電容，如BUCK、BOOST架構(gòu)的電源。廣東***MLCC電容

深圳市康業(yè)軒電子有限公司探討MLCC的電容選型要素。1.MLCC選型：但但滿足參數(shù)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠購(gòu)買(mǎi)商品的一般決策邏輯是：能不能用，好不好用，耐不耐用，價(jià)格。其實(shí)這個(gè)邏輯也可以套用到MLCC的選型過(guò)程中：首先MLCC參數(shù)要滿足電路要求，其次就是參數(shù)與介質(zhì)是否能讓系統(tǒng)工作在比較好狀態(tài);再次，來(lái)料MLCC是否存在不良品，可靠性如何，價(jià)格是否有優(yōu)勢(shì)，供應(yīng)商配合是否及時(shí)。許多設(shè)計(jì)工程師不重視無(wú)源元件，以為但靠理論計(jì)算出參數(shù)就行，其實(shí)，MLCC的選型是個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，并不是簡(jiǎn)單的滿足參數(shù)就可以的。2.選型要素-參數(shù)：電容值、容差、耐壓、使用溫度、尺寸-材質(zhì)-直流偏置效應(yīng)-失效-價(jià)格與供貨3.不同介質(zhì)性能決定了MLCC不同的應(yīng)用-C0G電容器具有高溫度補(bǔ)償特性，適合作旁路電容和耦合電容-X7R電容器是溫度穩(wěn)定型陶瓷電容器，適合要求不高的工業(yè)應(yīng)用-Z5U電容器特點(diǎn)是小尺寸和低成本，尤其適合應(yīng)用于去耦電路-Y5V電容器溫度特性差，但容量大，可取代低容鋁電解電容MLCC常用的有C0G(NP0)、X7R、Z5U、Y5V等不同的介質(zhì)規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的特點(diǎn)和用途。廣東直銷(xiāo)MLCC電容生產(chǎn)商2225封裝尺電容電阻找深圳市康業(yè)軒電子有限公司。

    MLCC即片式多層陶瓷電容器，電容器的微小型化，即電容器在盡可能小的體積內(nèi)獲得盡可能大的容量，這是電容器發(fā)展的趨向之一。對(duì)于分離電容器組件來(lái)說(shuō)，微小型化的基本途徑有兩個(gè)：使介質(zhì)材料的介電常數(shù)盡可能提高以及使介質(zhì)層的厚度盡可能減薄。在陶瓷材料中，鐵電陶瓷的介電常數(shù)很高，但是用鐵電陶瓷制造普通鐵電陶瓷電容器時(shí)，陶瓷介質(zhì)很難做得很薄。首先是由于鐵電陶瓷的強(qiáng)度低，較薄時(shí)容易碎裂，難于進(jìn)行實(shí)際生產(chǎn)操作，其次，陶瓷介質(zhì)很薄時(shí)易于造成各種各樣的組織缺陷，生產(chǎn)工藝難度很大。表面層陶瓷電容器是用BaTiO3等半導(dǎo)體陶瓷的表面上形成的很薄的絕緣層作為介質(zhì)層，而半導(dǎo)體陶瓷本身可視為電介質(zhì)的串聯(lián)回路。表面層陶瓷電容器的絕緣性表面層厚度，視形成方式和條件不同，波動(dòng)于～100μm之間。這樣既利用了鐵電陶瓷的很高的介電常數(shù)，又有效地減薄了介質(zhì)層厚度，是制備微小型陶瓷電容器一個(gè)行之有效的方案。

貼片元件具有體積小、重量輕、安裝密度高，抗震性強(qiáng).抗干擾能力強(qiáng)，高頻特性好等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電子辭典、醫(yī)療電子產(chǎn)品、攝錄機(jī)、電子電度表及VCD機(jī)等。貼片元件按其形狀可分為矩形、圓柱形和異形三類(lèi)。按種類(lèi)分有電阻器、電容器，電感器、晶體管及小型集成電路等。貼片元件與一般元器件的標(biāo)稱方法有所不同。下面主要談?wù)勂瑺铍娮杵鞯淖柚禈?biāo)稱法:片狀電阻器的阻值和一般電阻器一樣，在電阻體上標(biāo)明.共有三種阻值標(biāo)稱法，但標(biāo)稱方法與一般電阻器不完全一樣。數(shù)字索位標(biāo)稱法(一般矩形片狀電阻采用這種標(biāo)稱法)數(shù)字索位標(biāo)稱法就是在電阻體上用三位數(shù)字來(lái)標(biāo)明其阻值。它的***位和第二位為有效數(shù)字，第三位表示在有效數(shù)字后面所加"0"的個(gè)數(shù).這一位不會(huì)出現(xiàn)字母。例如:"472′'表示"4700Ω";"151"表示"150Ω"。如果是小數(shù).則用"R"表示"小數(shù)點(diǎn)".并占用一位有效數(shù)字，其余兩位是有效數(shù)字。例如:"2R4″表示"Ω";"R15"表示"Ω"。色環(huán)標(biāo)稱法(一般圓柱形固定電阻器采用這種標(biāo)稱法)貼片電阻與一般電阻一樣，大多采用四環(huán)(有時(shí)三環(huán))標(biāo)明其阻值。***環(huán)和第二環(huán)是有效數(shù)字，第三環(huán)是倍率(色環(huán)代碼如表1)。例如:"棕綠黑"表示"15Ω";"藍(lán)灰橙銀"表示"68kΩ"誤差±10%。01005電容找深圳康業(yè)軒電子有限公司。

電容是描述導(dǎo)體或?qū)w系容納電荷的性能的物理量。孤立導(dǎo)體的電容把電荷Q充到孤立導(dǎo)體上,它的電位U與Q成正比，Q/U與Q無(wú)關(guān)，取決于孤立導(dǎo)體的形狀和大小，它反映了孤立導(dǎo)體容納電荷的能力，因而定義為孤立導(dǎo)體的電容，用C表示，C=Q/U。孤立導(dǎo)體的電容等于導(dǎo)體升高單位電位所需的電量。電容的國(guó)際制單位為法拉，簡(jiǎn)稱法，用F表示,是一個(gè)非常大的單位。如將地球看作孤立導(dǎo)體，其電容只有709×-6法，所以通常采用μF(=-6F)或pF(=10-12F)為單位。如果把另一個(gè)帶負(fù)電的導(dǎo)體移近孤立導(dǎo)體，后者的電位就下降，可見(jiàn)非孤立導(dǎo)體的電位不*與它自己所帶電量的多少有關(guān)，還取決于周?chē)渌麑?dǎo)體的相對(duì)位置。電容器如果帶電導(dǎo)體A被一封閉導(dǎo)體空腔B所包圍，則因空腔的屏蔽作用，AB之間的電位差不受腔外帶電體的影響，A所帶的電量同A及B的電位差成比例。實(shí)際上，腔體封密的限制并不太高，即使A、B二導(dǎo)體為間距不大的一對(duì)導(dǎo)體板(同軸圓柱或平行平面板)，如果QA為導(dǎo)體A上與導(dǎo)體B相對(duì)的側(cè)面上的電量，則上述比例關(guān)系仍保持不變。這對(duì)互相絕緣的導(dǎo)體構(gòu)成電容器，這對(duì)導(dǎo)體則稱為電容器的一對(duì)極板。把電壓U接到電容器的一對(duì)極板上,它們得到大小相等、符號(hào)相反的電荷±Q，電位差UA-UB=U。01005封裝尺電容電阻找深圳市康業(yè)軒電子有限公司。重慶通用MLCC電容便宜

多層陶瓷電容器（MLCC）的特點(diǎn)是能夠承受較大的壓應(yīng)力。廣東***MLCC電容

折疊Z5U電容器Z5U電容器稱為"通用"陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對(duì)于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對(duì)于上述三種陶瓷單片電容起來(lái)說(shuō)在相同的體積下Z5U電容器有比較大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率比較大可達(dá)每10年下降5%。盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有***的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。封裝DC=25VDC=50V0805μμFμμF1206μμFμμF1210μμFμμF2225μF---1μFμF---1μFZ5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:工作溫度范圍10℃---85℃溫度特性22%-----56%介質(zhì)損耗比較大4%?？禈I(yè)軒廣東***MLCC電容